محفظه ویفر جهت یک فرآیند بر روی یک ویفر و یا چند ویفر، وابسته به چگالی توان پرتو و جریان یون ها ساخته می شود.

در فرآیند گروهی، معمولا محفظه ویفر شامل چندین ویفر که روی یک صفحه چرخشی نصب شده اند، می باشد.

خصوصیات محفظه یونی در زمان کاشت

صفحه ای که ویفر روی آن قرار دارد قابلیت کج شدن، چرخش و برگرداندن در میان پرتو را دارد.

این قابلیت ها جهت قرار دادن ویفر در موقعیت مناسب جهت ورود یکنواخت ناخالصی ها می باشد. چرخش و کج کردن ویفر، زاویه پرتو با جهت کریستال ویفر را مشخص می کند. برای چندین ویفر، این محفظه لازم است برای هر ویفر این عمل را جداگانه انجام دهد.

یکی از روش های کاهش کانال زنی در طول فرآیند، تغییر جهت ویفر در حین کاشت یونی می باشد.

محفظه هم چنین شامل خنک کننده می باشد، این سیستم با فرستادن باد خنک به پشت ویفر، ویفر را که در اثر انتقال انرژی زیاد یون های وارده به آن داغ شده است، را خنک می کند.

از سایر سیستم هایی که در این محفظه وجود دارند می توان به دستگاه شمارنده یون های وارد شده اشاره کرد. در این دستگاه، همانطور که نامش نشان می دهد، یون های وارد شده به محفظه در حین فرآیند کشت شمرده می شوند.

روش کار بدین صورت است که منبع جریان به ویفر متصل شده و انتگرال گیر به این منبع وصل می شود. هر یونی که وارد ویفر می شودیک الکترون از منبع جریان به منظور خنثی سازی یون وارده، خارج می شود که با شمارش این الکترون ها توسط انتگرال گیر، تعداد یون ها محاسبه می شود.

از خطاهای هنگام شمارش می توان به الکترون های ثانویه اشاره کرد. در اثر برخورد یون پر انرژی به اتم ممکن است الکترون از اتم جدا شده و سپس از ویفر جدا شود که سبب خطا در شمارش می شود. جهت رفع این نوع خطا از قفسه فاراده استفاده می کنند، به طوری که در جلوی ویفر قرار گرفته و ولتاژی به آن اعمال می شود و الکترون های جدا شده را دوباره به سطح ویفر باز می گرداند.

در صورتی که صطح ویفر عایق باشد، بعد از کشت یونی مشکلاتی ایجاد شده و با ایجاد بار الکتریکی روی سطح میدان الکتریکی ایجاد می شود. این میدان از ورودی یون های جدید به داخل ویفر جلوگیری می کند. جهت از بین رفتن این میدان می توان یک لایه نازک از فلز روی سطح ویفر نشانده که خود سبب نفوذ اتم های فلز به داخل ویفر شده و مشکلات اضافی ایجاد می کند. روش دیگر تاباندن الکترون به سطح ویفر می باشد که میدان ایجادی را از بین می برد.