با پیشرفت علم و تکنولوژی ، ترانزیستورها روز به روز کوچک می شوند با کوچک شدن ترانزیستور ،طول ترانزیستور تغییر کرده و به دلیل وابسته بودن تمامی پارامترها به طول ترانزیستور ، مدل های مختلف ارائه میشود بنابراین برای شبیه سازی مدارات در نرم افزار HSPICE احتیاج به مدل این ترانزیستورها است که بتوان با تکنولوژی های مختلف مدارات را شبیه سازی کرد و مورد مقایسه قرار داد. پس اهمیت مدل در این موضوع مشخص میشود.

Model 90nm

در این مطلب مدل 90 نانومتر برای هر دو ترانزیستور نوع n و نوع p را برای قرار داده ایم.

مشخصات این مدل برای نوع n ، به شرح زیر است :

Model Name : BSIM4 model card for bulk CMOS

Level : 54

Process : 90 nm

Date : 2006-02-22

For : nmos

 

مشخصات این مدل برای نوع p ، به شرح زیر است :

Model Name : BSIM4 model card for bulk CMOS

Level : 54

Process : 90 nm

Date : 2006-02-22

For : pmos