عکس پیش‌فرض نوشته

امروزه با توجه به پیشرفت های صنعت نیمه هادی در زمینه های کاهش ابعاد ادوات نیمه هادی، افزایش تراکم مدارها بر روی تراشه و نیز استفاده ی گسترده تر از نیمه هادی هایی نظیر GaAs، استفاده از روش کاشت یونی گسترش چشمگیری داشته است.
کاشت یون در الکترونیک

 

در روش نفوذ باید تراکم اتم های ناخالصی که به سطح نیمه هادی وارد می شوند در حد قابلیت حل جامدی نیمه هادی حفظ شود.

این امر محدودیت هایی را در توزیع اتم های ناخالصی ایجاد می کند. از طرف دیگر زمان حرارت دادن در فرآیند نفوذ طولانی تر می باشد.

این امر باعث می شود که اتم های ناخالصی در نواحی که مورد نظر ما نمی باشد نفوذ کند. با توجه به محدودیت های فرآیند نفوذ روش کاشت یون مطرح شده است.

پارامترهای مهم در روش کاشت یون برای پیش بینی توزیع ناخالصی ها، مشخصات یون، نوع اتم های ویفر و انرژی اولیه یون می باشد در حالی که در روش نفوذ علاوه بر عوامل فوق، پارامترهای فشار، درجه حرارت و زمان نیز در توزیع ناخالصی ها نقش دارند.

از مزایا مهم روش کاشت یون، قابلیت کنترل دقیق توزیع اتم های ناخالصی و قابلیت تکرار آن می باشد. در فرآیند کاشت یون، یون های ناخالصی با انرژی کافی به سطح ویفر پرتاب می شوند.

انرژی این یون ها عموما بین 1Kev تا 1mev بوده و می توانند تا عمق متوسطی بین 100 آنگسترم تا 10 میکرومتر در داخل ویفر نفوذ نمایند. به دلیل انجام عملیات در محیط خلاء و به خصوص دمای پایین محیط آلودگی هایی که در روش های دیگر وجود دارد، در این روش ایجاد نمی گردد.

در روش کاشت یون، یون هایی از ناخالصی  دلخواهی که می خواهیم در ماده قرار دهیم را با مقدار مشخص، قابل کنترل و با انرژی قابل تنظیم ایجاد کرده، در مسیر مشخصی هدایت کرده و به سمت قطعه هدف می تابانیم.

بر حسب میزان انرژی و مقدار یون ها، نوع یون ها و نیز نوع آرایش شبکه ی هدف، می توان پروفیل دقیقی ایجاد نمود.

این آموزش بیش از ۳ سال قبل ارسال شده و اکنون در لیست به‌روزرسانی‌های سایت قرار دارد. اگر پیشنهاد یا انتقادی برای بهبود آموزش دارید، خوشحال می‌شیم به ما اطلاع بدهید.