عکس پیش‌فرض نوشته

ترانزیستور به عنوان یکی از بزرگترین اختراعات در تاریخ مطرح شده است.

ترانزیستور عنصر فعال کلیدی در الکترونیک مدرن است، اگرچه میلیون ها ترانزیستور هنوز تکی و به صورت جداگانه استفاده می شوند، ولی اکثریت آنها به صورت IC  همراه با دیودها، مقاومت ها، خازن ها و دیگر قطعات الکترونیکی برای ساخت یک مدار کامل الکترونیک ساخته می شوند.
فرآیند ساخت MOS

ترانزیستور یکی از ادوات حالت جامد است که از مواد نیمه رسانایی مانند سیلسیوم و ژرمانیوم ساخته می شود.

یک ترانزیستور در ساختار خود دارای پیوندهای نوع N و P می باشد.

ترانزیستورهای جدید به دو دسته ی کلی تقسیم می شوند:

ترانزیستورهای اتصال دوقطبی (BJT)

ترانزیستورهای اثر میدان (FET)

 

اعمال جریان در BJT ها و اعمال ولتاژ در FET ها بین ورودی و ترمینال مشترک، رسانایی بین خروجی و ترمینال مشترک را افزایش می دهد، از این رو سبب کنترل جریان بین آنها می شود.

عملکرد ترانزیستور:

ترانزیستور از دیدگاه مداری یک عنصر سه پایه می باشد که با اعمال یک سیگنال به یکی از پایه های آن میزان جریان عبور کننده از دو یایه ی دیگر آن را می توان تنظیم کرد. برای عملکرد صحیح ترانزیستور در مدار باید توسط المان های دیگر مانند مقاومت ها و سایر عناصر، جریان ها و ولتازهای لازم را برای آن فراهم کرد (آن را بایاس کرد.)

 

ترانزیستور های اتصال دوقطبی (BJT):

در این نوع ترانزیستور با اعمال جریان با پایه بیس جریان عبوری از دو پایه کلکتور و امیتر کنترل می شود. تراتزیستورهای دو قطبی در دو نوع NPN و PNP ساخته می شوند. بسته به حالت بایاس این ترانزیستورها ممکن است در ناحیه قطع، فعال و یا اشباع کار کنند.

ترانزیستور BJT شبیه دو دیود است. دیود سمت چپ را دیود بیس-امیتر و دیود سمت راست را دیود کلکتور-بیس می نامند.

 

شیوه اتصال ترانزیستورهای BJT:

1- اتصال بیس مشترک:  در این اتصال پایه بیس بین هر دو بخش ورود و خروجی مدار مشترک است. این نوع مدار دارای مقاومت ورودی کم و مقاومت خروجی زیاد می باشد و بهره جریان آن کمتر از یک می باشد.

2- اتصال امیتر مشترک:  این نوع اتصال بیشتر از همه کاربرد دارد و مداری است که در آن امیتر بین بیس و کلکتور مشترک است. این مدار دارای امپدانس ورودی کم ولی امپدانس خروجی بالا می باشد.

3- اتصال کلکتور مشترک:  این نوع اتصال برای تطبیق امپدانس در مدار بکار می رود زیرا برعکس حالت قبلی دارای امپدانس ورودی زیاد و امپدانس خروجی پایین است.

 

ترانزیستورهای اثرمیدان (FET):

فت دارای سه پایه به نام های درین D – سورس S – گیت G است که پایه گیت، جریان عبوری از درین به سورس را کنترل می نماید.

فت دارای دو نوع N کانال و P کانال هستند. در فت نوع N کانال زمانی که گیت نسبت به سورس مثبت باشد جریان از درین به سورس عبور می کند.

فت ها معمولا بسیار حساس بوده و و حتی با الکتریسیته ی ساکن بدن نیز تحریک می گردند. به همین دلیل نسبت به نویز بسیار حساس هستند.

این آموزش بیش از ۳ سال قبل ارسال شده و اکنون در لیست به‌روزرسانی‌های سایت قرار دارد. اگر پیشنهاد یا انتقادی برای بهبود آموزش دارید، خوشحال می‌شیم به ما اطلاع بدهید.