لیتوگرافی در الکترونیک

لیتوگرافی که فرآیند متداولی در ساخت مدارهای مجتمع می باشد به منظور ایجاد الگوهایی متشکل از پنجره ها و جزیره ها روی سطح ویفر صورت می گیرد، پنجره های ایجادی در جهت فلز نشانی و doping مورد استفاده قرار می گیرد.

 

به عملیات الگو گذاری هم چنین فوتولیتوگرافی، ماسک گذاری نوری، ماسک گذاری، زدایش اکسید(OR)، زایش فلز (MR)، میکرو لیتوگرافی می گویند.

 

لیتوگرافی دو هدف را دنبال می کند:

1-  ایجاد الگو با ابعاد تعیین شده در مرحله طراحی روی ویفر

2-  جاگذاری صحیح الگوی مدار روی سطح ویفر

 

کنترل ابعاد و میزان ناخالصی ها امری دشوار است زیرا هر مرحله ای از پروسه ی الگو گذاری تغییرات و مشکلاتی را به همراه دارد. در یک مدار، ماسک گذاری نامنظم منجر به ایجاد خطا و نقص در قطعه ساخته شده می شود. علاوه بر کنترل ابعاد و هم جهت بودن الگوها، کنترل سطوح ناکاملی ها در ویفر نیز ضروری است.

فتولیتوگرافی، روند انتقال الگوهایی از اشکال هندسی واقع بر یک نقاب به لایه نازکی از ماده ای حساس به تشعشع (Photo sensitive) و مقاوم در برابر زدایش (Etch resist) به نام این الگوها (Patterns) مناطق گوناگونی نظیر مناطق کاشت، پنجره های اتصال و سطوح نواحی اتصال را در مدار مجتمع مشخص می کنند.

در واقع لیتوگرافی روش کپی تصویر یا تصاویر از جسمی به جسم دیگر می باشد.

فتوزیست یک پلیمر حساس به نور است که روی سطح مورد نظر کشیده می شود مشابه با آنچه بر روی فیلم های عکس برداری کشیده می شود.

با تابیدن نور از طریق ماسک به فتورزیست و گذشتن از مرحله ظهور فتورزیست، تصویر مورد نظر روی صفحه تشکیل می شود که در واقع، در تکنولوژی ساخت نیمه هادی، خصوصا تکنولوژی سیلیکون، هدف باز کردن یک پنجره ای در لایه از Sio2 می باشد که این پنجره برای آلایش (نفوذ یا کاشت یون) و فلز نشانی بکار می رود.

 

لیتوگرافی بسته به روش مورد استفاده به 4 دسته اصلی تقسیم می شود:

1-  لیتوگرافی نوری

2-  لیتوگافی با اشعه X

3-  لیتوگرافی پرتو الکترونی

4-  لیتوگرافی پرتو یونی

با وجود اینکه در سال های اخیر در سه روش آخر کاهای زیادی انجام شده، همچنان لیتوگرافی نوری به عنوان روش غالب باقی مانده است.